N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30-Ohm The IRF630N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about the IRF630N from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRF630N is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220AB Package**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.