N The IRF630FP is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 160pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Package:** TO-220FP (Fully Insulated)  

### **Descriptions:**  
- The IRF630FP is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features a fully insulated TO-220FP package, providing electrical isolation between the device and the heatsink.  
- Suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and switching applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Fully Insulated Package:** Eliminates the need for an additional insulation pad.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged environments.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.