N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR The IRF630FI is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Package:**  
- TO-220AB (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRF630FI is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced reliability in switching circuits  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.