N-channel mosfet transistor The IRF630F is a power MOSFET manufactured by HI-SINCERITY. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 850pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  
- **Technology:** Advanced Planar Technology  
- **Applications:** Power switching, motor control, DC-DC converters, inverters, and general-purpose amplification.  
- **Features:**  
  - Low on-resistance  
  - Fast switching speed  
  - High ruggedness and reliability  
  - Improved thermal performance due to fully molded package  
  - Suitable for high-efficiency power management applications  

For detailed datasheet information, refer to HI-SINCERITY's official documentation.