Advanced Power MOSFET The IRF630A is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual details regarding its specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **FAI/SEC (Fairchild Semiconductor)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole Package)**  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.