Advanced Power MOSFET The IRF624A is a power MOSFET manufactured by SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
1. **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 50V  
2. **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
4. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
5. **Power Dissipation (P_D):** 40W  
6. **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
8. **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
9. **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
11. **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
12. **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
13. **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
- The IRF624A is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **TO-220 Package:** Offers good thermal performance and ease of mounting.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRF624A by SEC.

Advanced Power MOSFET The IRF624A is a power MOSFET manufactured by SAMSUNG. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF624A is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Drive Requirements:** Compatible with standard logic-level drive circuits.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the available specifications and features of the IRF624A MOSFET from SAMSUNG.