IRF624A

Advanced Power MOSFET The IRF624A is a power MOSFET manufactured by SAMSUNG. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF624A is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Drive Requirements:** Compatible with standard logic-level drive circuits.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the available specifications and features of the IRF624A MOSFET from SAMSUNG.

Advanced Power MOSFET