250V N-Channel MOSFET The IRF624 is a power MOSFET manufactured by Samsung. Below are the specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 250pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF624 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for fast switching and low on-resistance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (250V)**  
- **Low On-Resistance (1.5Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Efficient Heat Dissipation**  

This information is based on standard specifications for the IRF624 MOSFET by Samsung. For exact details, always refer to the official datasheet.