N-Channel Power MOSFETs/ 7A/ 150-200V The IRF623 is a power MOSFET manufactured by Samsung. Below are the specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF623 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on standard specifications for the IRF623 MOSFET by Samsung. For exact details, refer to the official datasheet.