-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package The IRF6218S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 21A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (at V_GS = 10V, I_D = 2.6A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 8ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  

### **Description:**  
The IRF6218S is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive loads  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-263 (D²PAK)** surface-mount package  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.