-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF6216TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 38nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF6216TR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in various circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  
- TO-220AB package  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF6216TR.