-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF6215STRRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  
### **Part Number:**  
IRF6215STRRPBF  
### **Description:**  
The IRF6215STRRPBF is a P-Channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® Power MOSFET series, optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -150V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -21A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 42W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.75Ω (at VGS = -10V, ID = -3.5A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 15pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Rise Time (tr):** 35ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 45ns  
- **Fall Time (tf):** 20ns  
### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for low conduction losses  
- Fast switching speed  
- High avalanche ruggedness  
- Low gate charge  
- Lead-free and RoHS compliant  
### **Package:**  
TO-263 (D2PAK)  
### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management  
- Motor control  
- Switching regulators  
- Battery protection circuits  
This information is based on Infineon’s datasheet for the IRF6215STRRPBF.