-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF6215S is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF6215S  

### **Description:**  
The IRF6215S is a P-Channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 13nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
TO-263 (D²PAK)  

This MOSFET is commonly used in power supply circuits, DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for precise and updated specifications.)