N-Channel Power MOSFETs/ 7A/ 150-200V The IRF621 is a P-Channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.0Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRF621 is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power management circuits. The device features a low gate charge and fast switching characteristics.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** Supports up to -200V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting for easy integration.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.