200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF620S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRF620S is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate drive power requirements and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **TO-220AB Package (Through-Hole Mounting)**  

These details are based on the manufacturer's official datasheet. For exact performance under specific conditions, refer to the original documentation.