IRF620

5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET The IRF620 is a power MOSFET manufactured by various companies, including Infineon, Vishay, and STMicroelectronics. Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  

### **Description:**
The IRF620 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters due to its high voltage handling and fast switching characteristics.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** Supports up to 200V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

For exact specifications, refer to the manufacturer's datasheet as parameters may vary slightly between different brands.

5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET