20V Dual N-Bidirectional HEXFET Power MOSFET in a 6-Lead FlipFET The IRF6156 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRF6156  

### **Description:**  
The IRF6156 is a **N-channel** Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.055Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** due to low gate charge.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive loads.  
- **Low R_DS(on)** for improved efficiency.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant.**  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRF6156. For detailed application notes or thermal characteristics, refer to the official IR documentation.

20V Dual N-Bidirectional HEXFET Power MOSFET in a 6-Lead FlipFET