-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a 16-Lead FlipFET package The IRF6150 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Part Number:**  
- **IRF6150**  

### **Description:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  
- Designed for high-efficiency power switching applications  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Improved dv/dt Capability**  

### **Package:**  
- **TO-220AB (Through-Hole)**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Switching Regulators  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRF6150.