IRF614S

250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF614S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF614S  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Better performance in high-frequency circuits.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power applications.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-frequency inverters  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package