250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF614S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF614S  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Better performance in high-frequency circuits.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power applications.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-frequency inverters  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF614S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 15A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 1.9A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF614S is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate drive requirements and efficient performance in power management circuits.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Improved dv/dt Capability:** Ensures stable performance under high voltage transitions.  
- **TO-220AB Package:** Allows for easy mounting and heat dissipation.  

The IRF614S is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.