250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF614 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRF614 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters due to its fast switching characteristics and low on-resistance.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Efficient Heat Dissipation**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.