N-Channel Power MOSFETs/ 3.5A/ 150-200V The IRF611 is a power MOSFET manufactured by SAMSUNG. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 50V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 6.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF611 is designed for high-efficiency switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The device features low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 6.5A continuously.  
- **Robust Construction:** Designed for reliable performance in various environments.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.