200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF610PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 1.7A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
- The IRF610PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is built using advanced process technology for low on-resistance and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-220AB package, providing efficient thermal dissipation.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF610PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRF610PBF  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF610PBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching and amplification applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low Gate Charge (14nC typical)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant (PBF suffix)**  

This information is based on Vishay's official datasheet for the IRF610PBF.