200V N-Channel MOSFET The IRF610B is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2–4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF610B is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, fast-switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and amplification circuits due to its high efficiency and ruggedness.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures reliability under inductive loads  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious triggering risks  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

200V N-Channel MOSFET The IRF610B is a power MOSFET manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 3.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 13A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 43W  
- **RDS(ON) (Drain-Source On-Resistance):** 1.5Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 120pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF610B is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate drive power requirements and high efficiency in power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching speeds.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in rugged conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for the IRF610B MOSFET.