-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a 4-Lead FlipFET package The IRF6100PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 21A  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 520pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF6100PBF is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under inductive loads.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-220AB Package:** Provides reliable thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.