-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a 4-Lead FlipFET package The IRF6100 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- TO-220AB (Through-Hole)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in high-speed switching circuits.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals (when fully enhanced).  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a 4-Lead FlipFET package The IRF6100 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about the IRF6100 from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13.6A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (100V)**  
- **Low On-Resistance (0.6Ω)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  

This information is based on the IRF6100 datasheet from International Rectifier.