20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 package The IRF5852TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF5852TRPBF  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Low Thermal Resistance**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency power management  

This MOSFET is designed for high-performance power applications with low conduction losses and fast switching characteristics.