20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 6 package The IRF5851 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF5851  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 44A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 176A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 35ns (typical)  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- 100% tested for R_DS(on)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency power systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF5851. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 6 package