-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 package The IRF5850TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF5850TRPBF is a **N-channel Power MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** – Surface-mount package  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power supplies  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Switching regulators  
- Inverters  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.