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IRF5850TR from IOR,International Rectifier

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IRF5850TR

Manufacturer: IOR

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF5850TR IOR 3000 In Stock

Description and Introduction

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 package The IRF5850TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF5850TR  

### **Description:**  
The IRF5850TR is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® series, known for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 20A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 80A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.085Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 150W (at 25°C)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-220AB Package**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency power management  

This information is based on Infineon’s datasheet for the IRF5850TR.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF5850TR IR 69000 In Stock

Description and Introduction

-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 package The IRF5850TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF5850TR  

### **Description:**  
The IRF5850TR is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-state resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 120A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.055Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 150W (at 25°C)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  
- **Low Thermal Resistance**  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** Surface-Mount Package  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency power management  

This MOSFET is suitable for applications requiring high power density and efficiency.

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