-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 package The IRF5850 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)** (now part of Infineon Technologies)  

### **Part Number:**  
- **IRF5850**  

### **Type:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Mounting)  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **High Input Impedance**  

### **Applications:**  
- **Switching Power Supplies**  
- **Motor Control**  
- **DC-DC Converters**  
- **Industrial and Automotive Systems**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF5850 MOSFET.