-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 package The IRF5810TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF5810TRPBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency power switching applications  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **R_DS(on) (Max):** 8.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
- TO-252 (DPAK)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- Switching regulators  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRF5810TRPBF.