-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 package The IRF5810TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 40ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Description:**  
The IRF5810TR is a N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **Optimized for Synchronous Rectification** in power supplies.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.