-20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 package The IRF5810 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF5810  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control circuits.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  

### **Applications:**  
- Power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Switching regulators  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF5810.