-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRF5806TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 250pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IRF5806TRPBF is a high-current, low on-resistance N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high efficiency in switching power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable for industrial applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet.