-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRF5806 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 130nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF5806 is an N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-220AB package for efficient thermal dissipation.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 75A continuous current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in high-speed switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.