-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRF5805TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 280pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF5805TRPBF is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high-efficiency switching and low conduction losses.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **High current handling** capability.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.