-40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRF5804 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF5804  

### **Description:**  
The IRF5804 is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-speed switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.014Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low gate charge (Q_G) for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Improved dv/dt capability  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-hole package)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.