-40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRF5803TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 780A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 210nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The IRF5803TRPBF is a N-channel MOSFET designed for high-current, low-voltage applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 195A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.