IRF5803TR

-40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRF5803TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF5803TR  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 780A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in harsh conditions.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For precise application details, refer to Infineon's official documentation.

-40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package