-40V FETKY The IRF5803D2TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF5803D2TR  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  
### **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for rugged performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by lower gate voltages.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Battery Management Systems  
- Automotive Systems  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.