FETKY ?MOSFET & Schottky Diode The IRF5803D2PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Package:** TO-263-3 (D2PAK)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 780A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 235nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 290pF  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under transient conditions.  
- **Fully Characterized:** Dynamic dv/dt rating for improved reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- High-Current Switching Circuits  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF5803D2PBF.