-40V FETKY The IRF5803D2 is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 780A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** TO-263-7 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Optimized for high efficiency in power switching circuits.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free** and **RoHS compliant**.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRF5803D2.

-40V FETKY