-40V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRF5803 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRF5803  

### **Description:**  
The IRF5803 is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 100nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability** (200V)  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for efficient power conversion  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **Improved dv/dt Capability** for better noise immunity  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR datasheet.