200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRF5801TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.011Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2900pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 950pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRF5801TRPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor drives, and automotive applications.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package