N-Channel Power MOSFETs/ 27 A/ 60-100V The IRF542 is an N-channel power MOSFET manufactured by various semiconductor companies, including International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.077Ω (at V_GS = 10V, I_D = 14A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 65ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF542 is a high-voltage, high-current MOSFET designed for power switching applications. It is commonly used in DC-DC converters, motor control, power supplies, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Capable of handling high continuous and pulsed currents.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting on heat sinks for thermal management.  
- **Logic-Level Gate Drive Compatibility:** Can be driven by standard logic-level signals (with sufficient gate drive voltage).  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.