N-Channel Power MOSFETs/ 27 A/ 60-100V The IRF541 is an N-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
- **Original Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Current Manufacturer:** Infineon Technologies (after acquisition)  

### **IRF541 Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 130A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.052Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package Type:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Switching:** Designed for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with minimal conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Capable of handling high-energy transient conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by standard logic-level signals (though optimized for 10V gate drive).  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and does not include recommendations or usage guidance.