100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package The IRF540ZS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  
### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Description:**  
- The IRF540ZS is a **N-channel** power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is part of the **HEXFET® Power MOSFET** series, known for efficient power handling and low on-resistance.  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 130A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 94W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 44mΩ (at VGS = 10V, ID = 22A)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1660pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 430pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 110pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 12ns  
- **Rise Time (tr):** 56ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 44ns  
- **Fall Time (tf):** 25ns  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Surface-mount design for efficient PCB space utilization.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures stable performance in various conditions.  
### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Switching regulators  
- Automotive systems  
For detailed datasheet information, refer to Infineon's official documentation.