100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF540ZPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 130A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 44mΩ (max at V_GS = 10V, I_D = 33A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 450pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF540ZPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It provides low on-resistance, high current handling, and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low gate charge and high efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Ensures reliable operation in switching circuits.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF540ZPBF.