100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF540Z is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRF540Z  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 130A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.044Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF540Z is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Performance** for efficient high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved ruggedness.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliable switching.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.