100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF540S is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 130A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 44mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 160pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF540S is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed** – Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance** – Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified** – Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability** – Enhances reliability in high-voltage switching.  
- **TO-263 (D2PAK) Package** – Provides efficient thermal performance.  

This information is sourced directly from Infineon's datasheet for the IRF540S.