100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF540PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRF540PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 44mΩ (max at V_GS = 10V, I_D = 33A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 370pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 78ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF540PBF is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Current Capability:** Supports up to 33A continuous drain current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Silicon MOSFET Technology:** Ensures reliability and performance.  

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